本发明公开了一种半导体结构及其制造方法与操作方法。半导体结构包括衬底、第一叠层结构、介电元件、导电线、第一导电岛与一第二导电岛。第一叠层结构形成于衬底上。第一叠层结构包括交错叠层的第一导电条纹与第一绝缘条纹。第一导电条纹是通过第一绝缘条纹分开。介电元件形成于第一叠层结构上。导电线形成于介电元件上。第一导电岛与第二导电岛形成于介电元件上。位于该第一叠层结构的相对侧面上的第一导电岛与第二导电岛互相分开。半导体结构的操作方法包括分别施加第一电压至第一导电岛，并施加第二电压至第二导电岛。