本发明涉及一种半导体激光器，特别是增强腔面散热的半导体激光器及其制备方法。半导体激光器包括衬底上的下金属化层，下限制层，下波导层，下过渡层，量子阱层，上过渡层，上波导层，上限制层，上金属化层，以及上下金属电极，在半导体激光器前后腔面上设有一层碳纳米管薄膜，在前后腔面的碳纳米管薄膜上沉积增透膜和高反射膜。制备方法是沿芯片边缘线解理，在前后腔面上制备一层碳纳米管薄膜；在碳纳米管薄膜上前腔面沉积增透膜，后腔面沉积高反射膜；芯片焊接到热沉，压焊电极引线。本发明防止腔面光学灾变，提高腔面的损伤阈值，有利于提高半导体激光器的功率与寿命。