一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成浅沟槽隔离结构；在所述半导体衬底和浅沟槽隔离结构上形成第一多晶硅材料层、位于部分第一多晶硅材料层表面的覆盖材料层，位于部分第一多晶硅材料层表面的第二多晶硅材料层；对第二多晶硅材料层、覆盖材料层、第一多晶硅材料层进行刻蚀，形成伪栅结构和多晶硅电阻。由于形成伪栅结构的多晶硅材料层包括第一多晶硅材料层和第二多晶硅材料层，而多晶硅电阻的多晶硅材料层仅为第一多晶硅材料层，使得伪栅结构表面和多晶硅电阻表面具有高度差，形成金属栅极的化学机械研磨工艺不会对多晶硅电阻及表面的金属硅化物造成影响，两者可同时形成。