本发明提供了多孔半导体微球及其制备方法，属于材料加工技术领域。金属/半导体壳-核结构多孔微球，包括有半导体材料的球体，球体上有多孔结构，球体上还覆盖有树枝状的金属层，部分金属层相连成网状；上述微球的粒径范围是0.01～20μm，比表面积范围是50～500m²/g。制备方法是：采用电火花加工装置，通过脉冲电源使浸入工作液中的加工工件和工具电极之间形成脉冲性放电，得到带金属模板的半导体微球，用腐蚀性溶液对带金属模板的半导体微球进行选择性腐蚀，在未被金属层覆盖的半导体球体上形成凹陷的多孔结构，得到壳-核结构多孔微球。还可以进一步将金属层腐蚀，得到多孔半导体微球。本制备方法简单、易控制，得到的多孔半导体微球结构新颖。