本披露的实施例提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：包括最顶层金属化层的多个金属化层。最顶层金属化层具有厚度为T1并且分开一间隙的两个金属部件。复合钝化层包括在氮化层之下的HDP？CVD氧化层。复合钝化层设置在金属部件之上并且部分填充间隙。复合钝化层具有厚度T2，约为厚度T1的20％至50％。