一种半导体堆栈结构及其制法，该半导体堆栈结构的制法通过将相堆栈的基板与晶圆进行切割制程，主要通过在切割处上先移除部分晶圆材质，以在该晶圆的芯片边缘形成应力集中处，再进行切割，使应力被迫集中在该晶圆的芯片边缘，而令该芯片的边缘翘曲。因此，可避免该应力延伸至该芯片的内部。