本发明提供了一种半导体结构及其制造方法先形成伪源/漏区，再除去该伪源/漏区后形成替换源/漏区，有效避免了对强应变的源/漏区进行高温退火时强应力引起的晶格错位和缺陷；在该半导体结构的形成过程中采用较低的退火处理温度，因此替换源/漏区的材料可选用高Ge比重的SiGe或SiC，能向MOSFET的沟道区施加强应力，提升了MOSEFT的性能。