本发明涉及一种测量半导体巴条激光器近场非线性效应的方法，半导体激光器巴条发出的光通过柱透镜的作用，将光打远放大，随后通过调整单个半导体激光器管芯的位置，使每个导体激光器管芯发射出来的光达到同一直线上，通过分别记录调整每个导体激光器管芯的上、下位移尺寸，绘制出半导体激光器巴条的发光区形状，从而测量出巴条的近场非线性效应。