一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，在所述基底上依次形成第一低k介质层、刻蚀停止层、第二低k介质层；第二低k介质层中形成凹槽，所述凹槽暴露刻蚀停止层表面；在凹槽内填充满无定形碳材料层，在无定形碳材料层和第一低k介质层中形成相邻的第一大马士革互连结构和第二大马士革互连结构，去除第一大马士革互连结构与第二大马士革互连结构之间以及第一大马士革互连结构和第二大马士革互连结构与凹槽侧壁之间的无定形碳材料层，形成空隙；形成横跨所述空隙的覆盖层，在第一大马士革互连结构和第二大马士革互连结构与凹槽侧壁之间的形成空气隙。本发明实施例的方法降低了互连结构之间的介电常数。