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> 技术详情
具有加强帽盖层的半导体结构及其制作方法
编号：S000018668
刷新日期：
有效日期至：
2020-11-01
浏览：
2366
次
对接邀请：
0
次
意向价格：
面议
所在区域：
中国 -
技术领域：
智能制造 - 装备制造业
转让类型：
技术转让
专利类型：
发明专利
技术成熟度：
可以量产
供应描述
本发明公开了一种半导体结构，其包含有一基材、一主体结构，位于所述基材上、一侧壁子，设于所述主体结构的一侧壁表面、以及一加强帽盖层，设于所述侧壁子的一上端表面。
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机构地址：
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式：
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