本公开涉及用于生产晶片级封装体的方法和对应的半导体封装体。更具体地，涉及一种半导体封装工艺，包括在重构晶片中钻孔、然后通过跨晶片的背表面抹拭某一数量的导电胶从而迫使胶进入孔中来用胶填充孔。使胶固化以形成导电接线柱。使晶片减薄，并且在晶片的前表面和背表面上形成重新分布层，而接线柱充当在重新分布层之间的互连。在备选工艺中，钻出盲孔。向晶片的前表面涂敷干膜抗蚀剂，并且使其图案化以暴露孔。从正面涂敷导电胶。为了防止胶在孔中俘获气穴，在真空下执行抹拭工艺。在固化了胶之后，减薄晶片以暴露孔中的固化的胶，并且形成了重新分布层。