一种半导体器件之重复缺陷的检测方法，包括：步骤S1：定点扫描；建立定点扫描程式，并选取待测试模块中重复单元的内部区域，以所述电子束缺陷扫描仪能够扫描的最小区域作为扫描单元区域，并设定为缺陷而被检测，拍摄电子显微镜图谱；步骤S2：灰阶样本收集；对步骤S1所述电子显微镜图谱进行灰阶分析，获取典型灰阶分布及其灰阶分布区间，并定义标准灰阶区间；步骤S3：异常半导体器件预报。本发明通过电子束缺陷扫描仪所获得的灰阶收集数据与所述正常半导体器件的标准灰阶区间进行比较，可以有效的预报异常半导体器件，并实现对离子注入工艺产生的重复缺陷进行有效监测，进而为工艺窗口优化与在线监控提供方法论，为半导体在线制造与良率提升提供保障。