本发明公开了一种半导体硅片的热处理工艺，包括如下步骤：（1）将热处理炉内温度稳定在640℃～660℃；（2）热处理炉内通入高纯氩气并将热处理炉内温度稳定在640℃～660℃；（3）将半导体硅片整齐水平放入石英舟；（4）打开热处理炉，将承载半导体硅片的石英舟快速推入热处理炉640℃～660℃恒温区处理30-45分钟；（5）打开热处理炉，快速将承载半导体硅片的石英舟拉出热处理炉；（6）快速将石英舟连同半导体硅片置于风冷装置处快速风冷至室温。本发明通过650℃热处理及快速退火越过350~500℃，消除氧施主效应，并抑制热施主效应，同时650℃处理短时间内又不产生新施主效应，因此本发明公布的热处理工艺方法可以得到直拉单晶硅片真实电阻率。