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半导体装置及其制造方法
编号:S000018632 刷新日期: 有效日期至:2020-10-13 浏览:2097 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
半导体装置具有:带状基材;配线图形;半导体元件,与配线图形进行了电连接;顶面侧绝缘保护膜,覆盖带状基材的顶面,且在带状基材顶面上的与半导体元件对向的对向区域中具有顶面侧开口部;底面侧绝缘保护膜,覆盖带状基材的底面,且在位于顶面侧开口部背侧的部分中具有底面侧开口部。顶面侧绝缘保护膜具有突出开口部,该突出开口部向所述对向区域的外侧突出。底面侧开口部的开口尺寸为,位于带状基材顶面上的与半导体元件对向区域的尺寸的1.00倍~8.50倍。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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