本公开内容的实施例包括一种方法：提供衬底；将多晶硅层形成在衬底上方；将第一光刻胶层形成在多晶硅层上方；在第一光刻胶层上方制造第一图案，其中，所述多晶硅层的某些部分被第一光刻胶层覆盖并且所述多晶硅层的某些部分没有被第一光刻胶层覆盖；将离子注入到没有被第一光刻胶层覆盖的多晶硅层的部分中；从多晶硅层去除第一光刻胶层；以及使用蚀刻剂去除多晶硅层的部分。本发明还提供了半导体结构的制造方法。