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功率半导体器件驱动电路
编号:S000018616 刷新日期: 有效日期至:2020-12-14 浏览:2369 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种功率半导体器件驱动电路包括栅极控制端子(5),所述栅极控制端子(5)被设置在与功率半导体器件(1)的漏极端子(1b)间隔开一预定距离的位置处,以使得生成浪涌时在所述漏极端子(1b)和所述栅极控制端子(5)之间生成放电。由于该放电的原因,浪涌电压被施加至所述栅极控制端子(5),所述功率半导体器件(1)的栅极被充电以导通并且吸收浪涌能量。因此,变得能够抑制施加至所述漏极端子(1b)的所述浪涌电压并且放置所述功率半导体器件(1)的击穿。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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