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> 技术详情
功率半导体器件驱动电路
编号:S000018616
刷新日期:
有效日期至:
2020-12-14
浏览:
2369
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种功率半导体器件驱动电路包括栅极控制端子(5),所述栅极控制端子(5)被设置在与功率半导体器件(1)的漏极端子(1b)间隔开一预定距离的位置处,以使得生成浪涌时在所述漏极端子(1b)和所述栅极控制端子(5)之间生成放电。由于该放电的原因,浪涌电压被施加至所述栅极控制端子(5),所述功率半导体器件(1)的栅极被充电以导通并且吸收浪涌能量。因此,变得能够抑制施加至所述漏极端子(1b)的所述浪涌电压并且放置所述功率半导体器件(1)的击穿。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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