本发明实施例公开了一种氧化物半导体上电极层的刻蚀方法，用于实现在氧化物半导体上使用湿刻蚀法直接刻蚀金属的电极。本发明实施例方法包括：在氧化物半导体层上制备含有钼的电极层；使用含有双氧水的刻蚀液对所述含有钼的电极层进行电极的刻蚀。