本发明涉及一种半导体晶体管的制作方法，包括如下步骤：1）在衬底材料上生长SiN介质层，生长3-20层；2）在介质层上过掩膜的光刻栅脚图形；3）采用干法ICP或者RIE在栅介质层上刻蚀栅脚；4）在刻蚀好的栅介质层上制作栅金属；5）对多余的栅金属进行剥离。介质层采用PECVD生长，生长主体气体为SiH₄和NH₃。整个生长过程的SiH₄流量固定不变，各子层生长时的NH₃流量固定不变但每个子层开始生长时NH₃的流量随层数而递增，各子层厚度为10～30nm。本发明与现有技术相比，在高方向性的干法刻蚀条件下刻蚀栅脚，既能保证栅脚线宽损失小，也能使栅脚介质形状呈一定倾斜角度，提升了栅金属的覆盖性，进而提升了栅金属的可靠性，完善器件的制作工艺。