本发明提供了一种具有高阻断电压能力的功率半导体器件，包括：有源器件区，其置于半导体衬底中；边缘终端区，其置于有源器件区与半导体衬底的横向边缘之间的半导体衬底中；以及沟槽，其置于边缘终端区中，从半导体衬底的第一表面向半导体衬底的相对的第二表面延伸。沟槽具有内侧壁、外侧壁和底部。内侧壁比外侧壁与半导体衬底的横向边缘距离更远，并且外侧壁的上部与沟槽的内侧壁和底部相反地被掺杂，以增大阻断电压能力。可提供产生高阻断电压能力的其他结构，诸如置于边缘终端区中的第二沟槽或硫族元素掺杂原子区。