本公开提供了一种化合物半导体器件及其制造方法，功率供应电路和高频放大器，其中化合物半导体器件包括：化合物半导体区域，具有其中形成阶梯的表面；第一电极，形成为位于阶梯的上表面的上方，上表面为非极性面；以及第二电极，沿着阶梯的侧表面形成为在竖直方向上与第一电极间隔开，侧表面是极性面。