本发明公开了一种槽型半导体功率器件的制造方法，涉及半导体功率器件技术领域，通过刻蚀槽、采用各向异性外延技术生长填充槽形成第二半导体区、在第二半导体区顶部局部刻蚀形成窄且高浓度的n或p柱、填充绝缘介质以及平坦化，之后采用外延横向过生长形成体区等关键工艺步骤,具有以下优点：避免了沟槽的填充及平坦化、槽栅制作及平坦化对已形成的体区、体接触区以及源区产生的不利影响；槽栅底部与体区下界面平齐或低于体区下界面，从而提高器件耐压；不需要复杂的掩模，避免了小角度注入工艺对沟道区的影响；避免采用多次外延注入的方式形成超结以及所带来得晶格缺陷；大大降低了导通电阻。