本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供包含NMOS部分和PMOS部分的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；形成一由三层材料堆叠而成的遮蔽体；形成一经过图形化的光刻胶层；去除位于所述PMOS部分的第三材料层；蚀刻位于所述PMOS部分的第二材料层，以形成一覆盖所述PMOS部分的栅极结构的侧面及顶部的侧壁体；去除未被所述侧壁体所覆盖的第一材料层；去除所述光刻胶层，并在所述半导体衬底中形成碗状凹槽；蚀刻所述碗状凹槽，以形成∑状凹槽；去除位于所述NMOS部分的第三材料层；去除位于所述半导体衬底上的第二材料层；在所述∑状凹槽中形成锗硅层；形成覆盖所述栅极结构的间隙壁结构。根据本发明，可将嵌入式锗硅工艺更好地集成到CMOS制程中。