本发明的碳化硅半导体装置，具备：碳化硅半导体层；栅极绝缘层，其配置在碳化硅半导体层上，且包含硅氧化膜；栅极电极，其配置在栅极绝缘层上；碳迁移层，其位于碳化硅半导体层与硅氧化膜之间，且碳原子浓度相对于碳化硅半导体层中的碳原子浓度为10％以上且90％以下，在碳迁移层中与氮原子浓度成为最大的位置相比更靠近硅氧化膜侧的区域，氮原子浓度的积分值相对于碳原子浓度的积分值的比率为0.11以上。