本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件的一个实施方案包括：衬底；形成在衬底上的电子传输层；形成在电子传输层上的电子供给层；形成在电子供给层上的源电极和漏电极；形成在电子供给层上的在源电极和漏电极之间的栅电极；形成在电子供给层和栅电极之间的p型化合物半导体层；以及形成在电子供给层和p型化合物半导体层之间的包含n型杂质的化合物半导体层。