本发明涉及一种GaAs体系四结太阳能电池的制备方法，其特点是：采用MOCVD在Ge衬底上面依次生长第一结Ge电池、成核层、缓冲层、第一隧道结、第二结GaInAs电池、第二隧道结、第三结Al_xGa_1-xAs电池、第三隧道结、第四结GaInP₂电池和GaAs帽层。本发明由于采用了与Ge衬底晶格完全匹配的GaInP₂/Al_xGa_1-xAs/GaInAs/Ge各子电池材料及制作过程，有效提高了太阳电池的效率；开路电压提高到4V，实现了高电压低电流特性；电池器件制作工艺能够与GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池完全兼容，简化了制备工艺，降低了制作成本，在可行性方面非常容易实现。