公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底包括：设置在第一器件区中的第一器件，该第一器件包括第一栅极结构、在该第一栅极结构的侧壁上形成的第一栅极间隔件以及第一源极和漏极部件；以及设置在第二器件区中的第二器件，该第二器件包括第二栅极结构、在该第二栅极结构的侧壁上形成的第二栅极间隔件以及第二源极和漏极部件。该半导体器件还包括设置在第一和第二栅极间隔件上的接触蚀刻终止层(CESL)以及设置在第一和第二源极和漏极部件上的互连结构。该互连结构与第一和第二源极和漏极部件电接触并且与CESL相接触。本发明提供了半导体器件及其形成方法。