一种互补型金属氧化物半导体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相邻的第一区域和第二区域；在所述半导体衬底的第一区域表面形成第一栅极结构；在所述半导体衬底的第二区域表面形成第二栅极结构；在所述半导体衬底、第一栅极结构和第二栅极结构表面形成第一应力氧化层、以及位于所述第一应力氧化层表面的第一应力氮化层，并进行第一次热退火；在第一次热退火后，去除第一应力氮化层，以及所述第一栅极结构和第二栅极结构顶部表面的第一应力氧化层；之后，在所述半导体衬底、第一栅极结构和第二栅极结构表面形成第三掩膜层，以形成应力层。所形成的半导体器件性能稳定。