本发明涉及一种用于处理绝缘体上半导体结构的工艺，所述工艺包括以下步骤：(i)在薄层(3)的表面上形成掩模(4)，以限定所述薄层的被称作被暴露区域的区域(3a)和被所述掩模覆盖的区域(3b)；以及(ii)应用热处理，以使得氧化物或氮氧化物层(2)中的至少部分氧扩散穿过被暴露区域(3a)。在步骤(ii)之前或在步骤(ii)期间，在所述被暴露区域(3a)上形成所述薄层(3)的所述半导体的氮化物或氮氧化物层(5)，所述层(5)的厚度使得穿过被暴露区域(3a)的氧扩散速率与穿过被所述掩模(4)覆盖的所述区域(3b)的氧扩散速率之比大于2。