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半导体性单壁碳纳米管的制备方法
编号:S000018445
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-03
浏览:
2467
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法,包括以下步骤:提供一基体;提供一单壁碳纳米管薄膜结构,将单壁碳纳米管薄膜结构设置于基体,单壁碳纳米管薄膜结构包括金属性单壁碳纳米管和半导体性单壁碳纳米管;将一高分子材料层设置于单壁碳纳米管薄膜结构上,形成复合结构,高分子材料层包覆每一个金属性单壁碳纳米管和每一个半导体性单壁碳纳米管;利用电子束轰击的方法除去包覆金属性单壁碳纳米管的高分子材料层,使金属性单壁碳纳米管暴露;除去金属性单壁碳纳米管;除去包覆半导体性单壁碳纳米管的高分子材料层,得到半导体性单壁碳纳米管。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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