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半导体结构及其形成方法
编号:S000018444
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-05
浏览:
2445
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明提供一种半导体结构及其形成方法,该半导体结构包括:半导体衬底;形成在所述半导体衬底上的稀土氧化物层;和形成在所述稀土氧化物层上的沟道区以及形成在所述沟道区两侧的源区和漏区。通过在源漏区和沟道区下方形成稀土氧化物,以对CMOS器件的源漏区和沟道区引入类型和大小可调的应力,从而显著提升半导体器件的迁移率,并且,利用稀土氧化物的晶体特性,以晶体生长的方式形成应力源,极大地简化了工艺流程。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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