本发明涉及功率半导体模块及其制造方法。以低成本提供具有高的冷却性能的功率半导体模块。半导体芯片（120a、140a）的第一芯片主面与热分流器（160a）接合，半导体芯片（120a、140a）的第二芯片主面与第一电极（250a）接合。半导体芯片（120b、140b）的第一芯片主面与热分流器（160b）接合，半导体芯片（120b、140b）的第二芯片主面与第一电极（250b）接合。多个电极（250a、250b、270b、290a、290b）由引线框供给。从热分流器（160a、160b）观察，在与芯片（120a、140a、120b、140b）相反的一侧设置有绝缘构件（210）。从第一电极（250a、250b）观察，在与芯片（120a、140a、120b、140b）相反的一侧设置有绝缘基板。