一种半导体刻蚀装置及半导体结构的刻蚀方法，所述半导体结构的刻蚀方法包括：先利用具有第一偏置功率源的刻蚀工艺对所述待刻蚀材料层进行刻蚀，所述第一偏置功率源产生持续偏置功率，形成第一开口，所述第一开口未暴露出所述刻蚀阻挡层；然后利用具有第二偏置功率源的刻蚀工艺对所述第一开口进行刻蚀，所述第二偏置功率源产生脉冲偏置功率，直到暴露出所述刻蚀阻挡层，形成第二开口。由于先利用持续偏置功率形成偏置电压进行刻蚀，侧壁形貌较佳且对光刻胶层具有较大的刻蚀选择比，然后在还未暴露出刻蚀阻挡层之前，换成脉冲偏置功率形成偏置电压进行刻蚀，避免在靠近刻蚀阻挡层的待刻蚀材料层的侧壁底部形成切口。