提供能够形成高纵横比的接触孔并能够抑制涂层蚀刻工序中的最小间隔的急剧减少的等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法。本发明是在形成于蚀刻停止层上的氧化硅膜上形成孔的等离子体蚀刻方法，其包括：对氧化硅膜进行蚀刻的主蚀刻工序；和在主蚀刻工序之后，在蚀刻停止层至少一部分露出的状态下进行的过蚀刻工序，过蚀刻工序包括多次反复交替地进行第一蚀刻工序和第二蚀刻工序的工序，第一蚀刻工序使处理气体为C₄F₆气体、Ar气体和O₂气体的混合气体；第二蚀刻工序使处理气体为C₄F₈气体、Ar气体和O₂气体的混合气体，或者为C₃F₈气体、Ar气体和O₂气体的混合气体。