本发明构思提供半导体装置及其制造方法。该半导体装置可包括：第一导电类型的半导体基板，包括凹陷区域；第二导电类型的离子注入层，与半导体基板的凹陷区域的底部接触，第二导电类型不同于第一导电类型；扩散阻挡图案，设置在离子注入层的侧壁与凹陷区域的侧壁之间；接触电极，与扩散阻挡图案间隔开并且设置在离子注入层。