本发明涉及一种半导体镀金属的改进方法。将金属底层选择性地镀在半导体晶片上，随即使用低内应力铜镀液在金属底层上镀铜。可以用常规金属镀浴和方法进行附加的金属化来建立金属层从而形成电流轨迹。金属硅化物的形成得到避免。获得了金属与半导体之间优良的结合力。金属化的半导体可用于光伏器件的制造。