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半导体发光元件及电极成膜方法
编号:S000018412 刷新日期: 有效日期至:2020-11-03 浏览:2277 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供了设有可用简易的方法制造且不易退化的电极的半导体发光元件及电极成膜方法。本发明的半导体发光元件(1)包括具有被供电而发光的发光层(12)的半导体层叠结构(10~14)和在半导体层叠结构(10~14)上形成的电极(21、22)。电极(21、22)包括将发光层(12)出射的光进行反射的反射膜(2b)、在反射膜(2b)上方和侧面形成的阻挡膜(2d)和仅在阻挡膜(2d)的上面形成的焊盘膜(2e)。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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