本发明涉及一种由高压器件和低压器件构成的半导体芯片。所制备的芯片具有多种不同的配置。例如，该半导体芯片可以包含NPN双极晶体管、PNP双极晶体管、二极管、N通道DMOS晶体管以及类似器件。第一掺杂阱配置成DMOS晶体管、P通道DMOS晶体管以及类似器件的基极。这些及其他实施例将在下文中详细介绍。