一种半导体芯片的蚀刻组合物，包括：0.5至50wt%的碱；10至80wt%的醇；0.01至15wt%的添加剂；以及余量的水。此外，还提供一种半导体芯片的蚀刻方法。当该蚀刻组合物用于半导体芯片的全表面或部分表面上时，在60至200℃温度范围内，该蚀刻组合物与该半导体芯片反应形成包含固体、液体和气体的泡沫以蚀刻该半导体芯片，该添加剂于加热反应中，同时形成该半导体芯片表面上的氧化物屏蔽。据此，提供具有优良纹理化结构的半导体芯片表面，并能实现半导体芯片单一表面的蚀刻。