本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：半导体衬底；所述半导体衬底上定义有源区和漏区，形成在所述源区和或漏区中的凹槽，所述凹槽中填充有稀土氧化物；形成在所述凹槽中的所述稀土氧化物上的源和或漏；和形成在所述源和漏之间的沟道区。通过在半导体器件的源和或漏下方形成稀土氧化物层，从而向CMOS器件的源和或漏和或沟道区引入类型和大小可调的应力，显著提升半导体器件的迁移率，并且，利用稀土氧化物的晶体特性，以晶体生长的方式形成应力源，极大地提高了应力引入的效率，并简化了工艺流程。