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在同一半导体衬底内形成电力和电路元件的半导体装置
编号:S000018360 刷新日期: 有效日期至:2020-11-02 浏览:2425 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明即便在半导体装置中流过负电流的情况下,也抑制半导体衬底(3)的电位相对于构成电路元件(2)的深半导体层的电位变低,不使寄生元件动作,防止半导体装置的误动作。本发明包括n型半导体衬底(3)、电力元件(1)、电路元件(2)和外部电路。外部电路具有电源、将一端与电源连接的电阻元件、和将阳极电极与电阻元件的另一端连接并且阴极电极GND接地的二极管,将半导体层(4)与电阻元件的另一端连接。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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