一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底上形成导电膜；在所述导电膜上形成第一铁电膜；在所述第一铁电膜上形成非晶态第二铁电膜；在所述第二铁电膜上形成含钌的过渡金属氧化物材料膜；在所述过渡金属氧化物材料膜上形成第一导电金属氧化物膜，而不将所述过渡金属氧化物材料膜暴露于空气；对所述第二铁电膜进行退火并使其结晶化；以及图案化所述第一导电金属氧化物膜、所述第一铁电膜、所述第二铁电膜以及所述导电膜以形成铁电电容器。本发明能够改善铁电电容器的反转电荷量以及压印特性，并且强化包括该铁电电容器的半导体器件的特性。