本发明公开了一种半导体盲孔的检测方法，包括提供具有导电区的半导体基底；形成多个暴露出所述导电区的盲孔，其中至少一个盲孔的底部区域具有电阻率大于导电区的高电阻层，且高电阻层和导电区间没有欧姆接触;在各个盲孔的侧壁上形成一层阻档层，其中阻档层的电阻率大于导电区的电阻率;在多个盲孔内填入导电材料，且导电材料位在阻档层上；进行一热工艺，使导电材料和半导体基底间的部分区域形成欧姆接触；及利用带电射线照射填满有导电材料的多个盲孔。