本发明提供了一种半导体器件的刻蚀方法：提供一半导体衬底，所述半导体衬底自下而上依次形成有低介电常数绝缘材料层、顶层氧化物层和氮化钛硬掩膜层；在氮化钛硬掩膜层的表面涂布光阻胶层，曝光显影所述光阻胶层，形成图案化的光阻胶层，以定义沟槽的位置；以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀所述氮化钛硬掩膜层，显露出顶层氧化物层；对刻蚀氮化钛硬掩膜层之后的表面进行预处理。采用本发明能够减少刻蚀氮化钛硬掩膜层之后缺陷的产生。