一种形成中介层的方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底具有正面和与正面相对的背面；形成一个或多个硅通孔(TSV)，该一个或多个硅通孔从所述前表面延伸到所述半导体衬底中；形成层间介电(ILD)层，该层间介电层覆盖半导体衬底的正面和一个或多个TSV；以及在ILD层中形成互连结构，互连结构电连接半导体衬底的一个或多个TSV。