公开了一种半导体器件及制造半导体器件的方法。示例性半导体器件及制造该半导体器件的方法提高了载流子迁移率。该方法包括：提供衬底；在衬底上方形成介电层；在介电层内形成第一沟槽，其中，第一沟槽延伸穿过介电层；在第一沟槽内外延(epi)生长第一有源层；以及利用辐射能量选择性地固化邻近第一有源层的介电层。本发明还提供了一种经受应力的半导体器件及其制造方法。