本发明涉及带有埋置电极的半导体器件。通过在半导体基板内形成空腔、在被置放在半导体基板上的外延层中形成有源器件区域并且在空腔中在有源器件区域下面形成埋置电极，制造了一种带有埋置电极的半导体器件。从不同于半导体基板的材料的导电材料形成该埋置电极。