本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。化合物半导体器件的一个实施方案包括：衬底；形成在衬底上或上方的氮化物化合物半导体堆叠结构；以及形成在化合物半导体堆叠结构上或上方的栅电极、源电极和漏电极。在化合物半导体堆叠结构的表面处形成有在俯视图中位于栅电极与漏电极之间的凹部。