本发明涉及包括带电结构的半导体器件及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件，包括从表面延伸进入半导体主体的漂移区的沟槽区。所述半导体器件进一步包括沿着所述沟槽区的横向侧延伸的介电结构，其中所述介电结构的一部分是带电绝缘结构。所述半导体器件进一步包括在所述沟槽区中的栅电极以及具有不同于所述漂移区的导电类型的主体区。所述带电绝缘结构邻接所述漂移区、所述主体区和所述介电结构的每一者且进一步邻接所述介电结构的栅电介质底侧或置于其下方。