本公开涉及半导体装置、打印设备及其制造方法。提供半导体装置的制造方法，该半导体装置包括布置于半导体基板上的DMOS晶体管、NMOS晶体管和PMOS晶体管，DMOS晶体管包含形成为彼此相邻的第一杂质区域和第二杂质区域，第一杂质区域具有与DMOS晶体管的漏极区域和源极区域相同的导电类型，形成为包围漏极区域，并且，第二杂质区域具有与第一杂质区域相反的导电类型，形成为包围源极区域，半导体装置的制造方法包括形成第一杂质区域和NMOS晶体管和PMOS晶体管中的一个和形成第二杂质区域和NMOS晶体管和PMOS晶体管中的另一个。