本发明公开了化合物半导体装置及其制造方法。化合物半导体装置的一个实施例包括：衬底；在所述衬底上方形成的化合物半导体堆叠结构；以及在所述化合物半导体堆叠结构上或上方形成的栅极电极、源极电极和漏极电极。所述化合物半导体堆叠结构包括：电子沟道层；以及氮化物半导体层，所述氮化物半导体层包括在所述电子沟道层上方形成的电子供给层。在所述栅极电极和所述源极电极之间的区域以及在所述栅极电极和所述漏极电极之间的区域的每一个中的所述氮化物半导体层的表面处的铟（In）含有率低于在所述栅极电极下方的区域中的所述氮化物半导体层的表面处的铟（In）含有率。